矽源特CST8002D特性:
VDD=5V，RL=3Ω，Po=3W，THD+N≤10%
宽工作电压范围1.8V—5.5V
优异的上掉电POP声抑制
无需输出耦合电容、自举电容和缓冲网络
单位增益稳定
矽源特CST8002D采用SOP8封装
矽源特CST8002D封装尺寸:
SOP8:
矽源特CST8002D封装尺寸:SOP8:
矽源特CST8002D引脚分布图:
矽源特CST8002D引脚分布图:
矽源特CST8002D典型应用电路:
矽源特CST8002D原理框图:
矽源特CST8002D特性指标
2022-08-29 18:00zzvips.com服务器之家 手机数码
矽源特CST8002D特性: VDD=5V，RL=3Ω，Po=3W，THD+N≤10% 宽工作电压范围1.8V—5.5V 优异的上掉电POP声抑制 无需输出耦合电容、自举电容和缓冲网络 单位增益稳定 矽源特CST8002D采用SOP8封装 矽源特CST8002D封装尺寸: SOP8: 矽源特CST8002D封装尺寸
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